责任编辑：卢昱君
根据中国科学院长春应用化学研究所黄埔先进材料研究院顾雪 ♈松等人2021年9月在《应用化学》发表的论文《g线/i线光刻 ♐胶研究进展》披露，光刻工艺经历了从近紫外g线（436nm）、h线（405nm）和i线（365nm）光刻，到深紫外KrF（248nm）、ArF（193nm）和F2（157nm）光刻， ⛴再到极紫外EUV（13.5nm）光刻，继续发展到X射线光刻、 ⚾电沙巴体育平台登陆子束光刻和离子束光刻等光刻工艺。光刻工艺的不断发展促使与之 ➡相对应的光刻胶不断更新换代。
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本报记者 叶天士 【编辑:陶季 】
